99,9999 % Trimethylaluman (TMAI) 75-24-1

Trimethylaluman (TMAI)

Trimethylaluminium (TMAl)TMAl wird als metallorganische (MO) Quelle in der Halbleiterindustrie häufig eingesetzt und dient als wichtiger Vorläufer für die Atomlagenabscheidung (ALD), die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD). Es wird zur Herstellung hochreiner aluminiumhaltiger Filme wie Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid eingesetzt. Darüber hinaus findet TMAl breite Anwendung als Katalysator und dessen Hilfsmittel in der organischen Synthese und bei Polymerisationsreaktionen.

Trimethylaluminium (TMAI) dient als Vorläufer für die Abscheidung von Aluminiumoxid und fungiert als Ziegler-Natta-Katalysator. Es ist zudem der am häufigsten verwendete Aluminiumvorläufer bei der Herstellung von metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE). Darüber hinaus dient TMAI als Methylierungsmittel und wird häufig von Höhenforschungsraketen als Tracer zur Untersuchung von Windmustern in der oberen Atmosphäre freigesetzt.

Unternehmensspezifikation von 99,9999 % Trimethylaluminium – niedriger Silizium- und Sauerstoffgehalt (6N TAMI – Low Si und Low Ox)

Notiz:

Vor allem Wert PPM nach Gewicht auf Metall, und ND = nicht erkannt

Analysemethode: ICP-OES/ICP-MS

FT-NMR-Ergebnisse (LOD für organische und sauerstoffhaltige Verunreinigungen im FT-NMR beträgt 0,1 ppm):

Sauerstoffgarantie <0,2 ppm (Gemessen in FT-NMR)

1. Keine organischen Verunreinigungen festgestellt

2. Keine sauerstoffhaltigen Verunreinigungen festgestellt

Wofür wird Trimethylaluminium (TMAI) verwendet?

Katalyseanwendungen:

Seit der Erfindung der Ziegler-Natta-Katalyse spielen Organoaluminiumverbindungen eine zentrale Rolle bei der Herstellung von Polyolefinen, einschließlich Polyethylen und Polypropylen. Methylaluminoxan (MAO), abgeleitet von Trimethylaluminium (TMA), dient als Aktivator für zahlreiche Übergangsmetallkatalysatoren in Polymerisationsprozessen.

Halbleiteranwendungen:

Trimethylaluminium (TMA) wird in der Halbleiterfertigung häufig zur Abscheidung dünner Schichten von High-k-Dielektrika wie Aluminiumoxid (Al₂O₃) durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) eingesetzt. In der Halbleiterindustrie dient hochreines TMA als Aluminiumvorläufer in ALD- oder CVD-Prozessen zur Erzeugung von Al₂O₃-Dünnschichten als High-k-Dielektrika. Darüber hinaus ist TMA der bevorzugte Vorläufer für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von aluminiumhaltigen Verbindungshalbleitern wie Aluminiumarsenid (AlAs), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumphosphid (AlP), Aluminiumantimonid (AlSb), Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs), Aluminiumindiumgalliumarsenid (AlInGaAs), Aluminiumindiumgalliumphosphid (AlInGaP), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Aluminiumindiumgalliumnitrid (AlInGaN) und Aluminiumindiumgalliumnitridphosphid (AlInGaNP). Die Qualitätskriterien für TMA konzentrieren sich auf (a) elementare Verunreinigungen, (b) sauerstoffhaltige Verunreinigungen und (c) organische Verunreinigungen.

Photovoltaik-Anwendungen:

In der Photovoltaikindustrie wird TMA zur Bildung von Passivierungsschichten aus Aluminiumoxid (Al2O3) mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) eingesetzt. Ähnlich wie in der Halbleiterverarbeitung wird TMA zur Abscheidung von Al2O3-haltigen Dünnschicht-Dielektrika mit niedrigem k-Wert (nicht absorbierend) mittels CVD- oder ALD-Prozessen eingesetzt. Hochreines TMA steigert die Effizienz kristalliner Silizium-Solarzellen durch die Bildung effektiver Al2O3-Passivierungsschichten und verbessert so deren Leistung.

LED-Anwendungen:

Bei der LED-Herstellung wird hochreines TMA mittels MOVPE oder CVD zur Herstellung aluminiumhaltiger Verbindungshalbleiter wie epitaktischer Schichten aus Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) oder Passivierungsschichten aus Aluminiumoxid (Al2O3) und Aluminiumnitrid (AlN) eingesetzt. Dies verbessert die optische Effizienz und sorgt für eine hervorragende Beleuchtungsleistung.