Dünnschichtabscheidung und Vorstufen für elektronische Materialien

Diese Serie umfasst Trimethylaluminium (TMA) und Hexaammincobalt(III)-chlorid. Beide sind hochreine Koordinationsverbindungen oder metallorganische Vorstufen, die hauptsächlich für die Atomlagenabscheidung (ALD), die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und andere fortschrittliche Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten bestimmt sind.

- Trimethylaluminium (TMA) ist eine klassische Vorstufe als Aluminiumquelle für ALD-Prozesse. Sie wird häufig zur Herstellung von High-k-Dielektrikumsschichten, Gate-Oxidschichten und Passivierungsschichten für Halbleiterbauelemente eingesetzt. Zu den wichtigsten Auswahlkriterien gehören ein Gehalt an metallischen Verunreinigungen im ppb-Bereich, eine stabile Dampfspannung und eine gleichbleibende Qualität von Charge zu Charge.

- Hexaammincobalt(III)-chlorid dient als Vorstufe und Cobaltquelle für die Abscheidung dünner Cobaltmetallschichten oder für bestimmte katalytische Systeme. Zu den entscheidenden Leistungsindikatoren gehören die Integrität der Koordinationsstruktur, die Löslichkeit und die Temperatur der thermischen Zersetzung.

Wir stellen vollständige technische Datenblätter (TDS), auf ICP-MS basierende Analyseberichte zu metallischen Verunreinigungen und Sicherheitsdatenblätter (SDS) bereit. Spezielle Verpackungsoptionen wie Bubbler-Zylinder und Edelstahlbehälter sind zusammen mit vollständigen Dokumentationen zur Exportkonformität verfügbar. Diese Leistungen helfen Kunden, die Materialqualifizierungszyklen zu verkürzen und Risiken in der Lieferkette zu mindern.